年产内存3000万条 我国一个重要存储芯片项目年底

随着科技的飞速发展，存储芯片产业正日益成为国家信息技术发展的核心支柱之一。据消息，深科技子公司合肥沛顿存储科技有限公司的一期项目已圆满封顶，标志着我国又将迎来一条重要的存储芯片生产线。该项目不仅彰显了我国在半导体领域的持续进步，更是对全球存储芯片市场格局产生深远影响的里程碑事件。

据悉，合肥沛顿存储项目按照建设规划稳步推进，预计在今年9月底完成全部建设任务。紧接着，10月初将进驻生产设备，项目团队正日夜兼程，以确保今年年底实现顺利投产，并形成有效产能。该项目不仅进度快速，而且实力雄厚。据预测，项目达产后，将展现出惊人的生产能力：年封测DRAM颗粒达到5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条。预计可为公司带来年营收28亿元左右的可观收益。

该项目的成功推进，离不开深科技沛顿与国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、合肥经开产业投促创业投资基金合伙企业等股东方的鼎力支持。根据投资协议，各方股东已于2020年11月共同出资00.00万元，其中深科技沛顿首期出资22352.00万元已按约定支付完毕。目前，各方股东正在同步进行第二期出资，深科技沛顿的出资额为148,648.00万元，其中募集资金占到了146165.28万元。

这一重大项目的落地，不仅将推动我国存储芯片产业的快速发展，更将为全球存储芯片市场注入新的活力。随着深科技合肥沛顿存储科技有限公司的强势崛起，我们有理由相信，我国的存储芯片产业将在国际舞台上发挥越来越重要的作用，为信息技术的革新和发展作出重要贡献。