常用场效应管的参数表

一、核心参数详解

在电子设备中，某些关键参数决定了元器件的性能。以下是关于某些元器件的重要参数说明。

1. 极限参数：

极限参数反映了元器件在极端条件下的性能表现。

最大漏源电压（VDSS）：这是漏极与源极之间能承受的最大电压。例如，某些元器件可能承受60V或100V的电压。

连续漏极电流（ID）：这是元器件在常温下允许通过的最大持续电流。不同的封装类型可能有不同的电流限制，例如SOT23封装的电流可能为340mA，而TO-3P封装的电流可能达到40A。

最大功耗（PD）：这是元器件允许的最大功率损耗。对于不同的封装，这一数值会有所不同，如SOT23的最大功耗为350mW，而TO-3P的最大功耗可达310W。

2. 直流参数：

直流参数关乎元器件在正常工作条件下的性能。

阈值电压（VGS(th)）：这是使元器件导通所需要的最小栅源电压。对于增强型MOSFET，这一数值通常在1.6V到2.5V之间。

导通电阻（RDS(on)）：这是元器件在饱和区的漏源电阻。例如，某些元器件在10V时的导通电阻为0.9Ω或0.03Ω。

3. 动态参数：

动态参数影响元器件的驱动性能和开关速度。

输入电容（Ciss）：这是栅源电容，影响驱动功率。例如，某些元器件的输入电容为27.5pF。

栅极电荷（Qg）：这是栅极充电的总量，决定元器件的开关速度。例如，某些元器件的栅极电荷仅为1.6nC。

二、常用型号参数示例

以下是两种常见封装类型的MOSFET的参数示例：

1. SOT23封装小功率MOSFET：

| 型号 | VDSS | ID | RDS(on)@VGS | Ciss | Qg | 封装 |

|-||-|||-|-|

| 2N7002 | 60V | 340mA | 2.5Ω@10V | 27.5pF@30V | 1.6nC@10V | SOT23 |

| 2N7002K | 60V | 500mA | 0.9Ω@10V | 23.8pF@30V | 930pC@10V | SOT23 |

2. TO封装中功率MOSFET：

| 型号 | VDSS | ID | RDS(on)@VGS | PD | 封装 |

|-||-||||

| IRF140 | 100V | 27A | 0.2Ω@10V | 125W | TO-204AE |

| FQA55N25 | 250V | 55A | 0.03Ω@10V | 310W | TO-3P |

| IRFP460A | 500V | 20A | 0.225Ω@10V | 277W | TO-3P |

三、选型注意事项

在选择元器件时，需要注意以下几点：

封装与散热：SOT23封装适用于低功耗场景，而TO系列封装需要配合散热片用于高功率场景。

开关频率：栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）越小，元器件的高频性能越好。

耐压余量：为了确保元器件的安全运行，选择的元器件的最大耐压值应高于实际工作电压的1.5倍以上。