三星3nm GAA良品率仅20％ 或与新伙伴合作改善生产

三星于今年六月底向全球宣布了一个令人瞩目的消息，其位于韩国的华城工厂正式开启了全新的征程，开始生产采用尖端技术的3纳米芯片。这一技术采用了全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，这一技术在性能与工艺方面展现出了强大的潜力。据三星表示，相较于之前的FinFET架构的5纳米工艺，首次亮相的3纳米GAA制程节点在功耗、性能和面积上都实现了显著的提升。具体来说，其面积减少了高达百分之十六，性能提升了百分之二十三，功耗降低了高达百分之四十五。更令人期待的是第二代产品，预计面积将减少百分之三十五，性能提升百分之三十，功耗降低百分之五十。

尽管三星在技术上先行一步，但在实际生产过程中却面临重重挑战。据ctee报道，与之前的4纳米和5纳米工艺一样，三星在制造这款全新的3纳米GAA工艺过程中也遭遇了挫折，良品率问题成为了迫切需要解决的难题。有消息显示，良品率仅为百分之二十。这也是三星之前在良好品质控制上的难点所在，甚至使得高通这样的大客户不得不将重要的旗舰SoC订单转向台积电（TSMC）。

为了克服这些生产难题，三星正在寻求新的合作伙伴和解决方案。据传言，这家合作企业是美国的SiliconFrontlineTechnology公司。这家公司以其静电防护技术闻名于世，该技术能够显著提高晶圆良品率。业界猜测他们可能是解决三星当前困境的理想伙伴。未来几个月内，我们将密切关注三星的晶圆代工情况，看看其是否能够成功提高良品率并吸引更多的客户采用其先进的工艺制程技术。业内消息透露，如果三星的计划取得显著成效，高通可能会重新考虑与三星的合作，并可能采取双代工厂的策略来平衡产能和成本。