台积电确认正研发3nm和4nm工艺：功耗降低30%、2

在台积电的第26届技术研讨会上，公司向世界揭示了其前沿的技术进展。除了已经投入量产的5nm和6nm技术外，台积电还预告了更先进的节点——即将到来的3nm和4nm技术。这不仅展现了公司在半导体制造领域的持续创新力，也预示了未来的技术风暴。

5nm技术的迭代成果显而易见，而其下一代产品，也就是被誉为“神奇节点”的3nm技术更是备受瞩目。这一技术被视为半导体工艺的一大飞跃，它不仅是5nm技术的自然演进，更是半导体制造领域的一大突破。理论上，它是对现有技术的极致改良，预示着半导体技术的全新时代即将到来。与此4nm技术作为过渡技术，对现有的台积电N5客户进行平滑过渡，减少流片成本和时间成本。这种无缝过渡将为客户带来极大的便利。据悉，这两项技术都定于明年晚些时候进行风险试产，并在不久的将来大规模投产。与现有技术相比，这些新技术预计能显著降低功耗并提高性能。与此三星也积极布局这一领域，但其策略与台积电有所不同。三星选择了采用全新的Gate-All-Around技术路线，而台积电则坚守其成熟的FinFET技术路线。两大巨头在技术研发上的竞争无疑将推动整个行业的发展步伐。三星宣称其新的3nm技术能够在核心面积和功耗方面实现显著减少，同时在性能上实现大幅提升。而这一切都将在未来不远的将来展开激烈的竞争和较量。此次研讨会无疑为我们揭示了一个更加繁荣、更具活力的半导体制造新时代正在到来。在这个新时代中，各种技术和策略都将被挖掘和创新出来以满足市场的需求，为人类社会的科技进步和发展带来前所未有的机遇和挑战。