Intel唯一披露QLC闪存新进展：寿命绝口不提

NAND闪存，从SLC到TLC，再到QLC，其发展历程见证着科技的飞速发展。随着技术的进步，闪存的容量密度越来越高，成本逐渐降低，然而性能和寿命的挑战却始终存在，需要通过各种技术和主控优化来克服。在这个背景下，英特尔的QLC闪存引发了行业的关注。

QLC闪存曾经在市场上风头无两，但因其性能问题受到质疑。华硕的部分笔记本曾采用Intel的QLC闪存SSD 660p系列，因此受到消费者的批评。英特尔并未放弃，他们在不断努力提升QLC闪存的技术水平。

在最近的ISSCC国际固态电路会议上，QLC闪存成为了焦点。英特尔展示了其的144层QLC闪存技术，引发了广泛关注。这款闪存的单Die容量依然是1Tb，但面积缩小了35%，存储密度也显著提高。更令人瞩目的是，其性能指标全面提升，I/O传输速度增加一半，编程吞吐量和编程延迟等关键参数也都有显著改善。

对于这款144层QLC闪存的读写寿命，英特尔并未提及。这让人不禁对其长期表现保持关注。尽管如此，英特尔对于更进一步的5-bit PLC闪存充满期待，认为它是未来SSD在成本上超越HDD的关键。如果搭配E1形态规格，甚至可以实现1PB的单盘容量，这无疑将是一次技术革新。

在近期，英特尔将推出消费级的SSD新品，其中说不定就有采用QLC技术的产品。这一切令人期待，同时也让我们看到了科技行业的持续进步和不断创新的精神。在这个飞速发展的时代，我们期待更多的科技突破，为我们的生活带来更多的便利和惊喜。