第四代半导体再突破 我国团队在8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片

IT之家报道，近日西安邮电大学传来喜讯，陈海峰教授团队在新型半导体器件与材料重点实验室取得了重大突破。他们成功地在8英寸硅片上高质量地制备出了氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究领域迈出了重要的一步。

陈海峰教授表示，氧化镓作为一种超宽禁带半导体材料，具有出色的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域的应用前景广阔。此次制备的硅上氧化镓异质外延，不仅有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，而且成本更低、散热性能更佳。

作为全球第四代半导体材料的代表，氧化镓已经引起了国际上的广泛关注，并开始了产业化进程。与前代半导体材料相比，氧化镓具有更高的击穿电场强度、更低的导通电阻以及更好的化学和热稳定性。这使得氧化镓在能量损耗和功率转换效率方面表现出卓越的性能。其成本低、制备方法简单，便于批量生产，在产业化方面优势显著。

值得一提的是，近年来我国在氧化镓制备技术上不断取得突破，从最初的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，技术日益成熟。陈海峰教授团队的这一重要成果，无疑为我国在半导体领域的进一步发展注入了强大的动力。