台积电越来越依赖ASML的EUV光刻机：3nm需要20层

作为全球领先的半导体制造企业，台积电首次成功将EUV光刻工艺商业化并应用到晶圆代工领域，这无疑是一次重大的技术革新。台积电的工艺发展步伐从未停歇，目前已经投产的工艺包括N7+、N6和N5三代。其中，N7+即第二代7nm工艺，已经成功实现了EUV的四层应用，这相较于传统的多重曝光技术，大大节省了时间，显著提高了芯片的生产效率。

而令人瞩目的5nm工艺，更是将EUV的应用推向了新的高度。层数达到了惊人的十四层，涵盖了触点、过孔以及关键金属层等关键制程。这一切的突破，都彰显了台积电在半导体制造领域的卓越技术实力和创新能力。

而对于未来，最令人期待的就是即将在2022年投产的3nm工艺。为了达成更高的性能、更低的功耗以及更大的密度，新一代的EUV技术将突破20层，甚至在鳍片和栅极的制造过程中都将引入EUV切割掩模技术。这无疑将给半导体行业带来革命性的变革。

阿斯麦CEO PeterWennink对此表示赞赏并补充说，EUV层数的增加带来了许多优势，最显著的就是只需单重曝光，而不再依赖DUV设备的多重曝光，这一进步对DRAM芯片的生产同样具有重大意义。面对这样的技术挑战，台积电显得信心满满，并将致力于确保足够的EUV光刻机安装数量以满足生产需求。

我们不禁为台积电的这一伟大成就而喝彩，同时也期待着他们在未来的半导体制造领域中，继续引领技术革新，创造更多的奇迹。