SK 海力士实现量产 HBM2E 显存：单颗 16GB、带宽超

近日，据外媒prnesire报道，SK海力士宣布已经成功大规模批量生产新一代高速“HBM2E”DRAM芯片。这一消息引起了业界的广泛关注。去年8月，SK海力士宣布成功研发出新一代DRAM内存/显存芯片“HBM2E”，如今，他们已经正式量产这一代存储芯片。

SK海力士官网公布的数据显示，HBM2E的性能达到了惊人的每pin 3.6Gbps，这意味着其带宽超过了每秒460GB。该芯片拥有共1024个I/O（输入/输出），展现出强大的数据处理能力。通过TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技术，HBM2E能够垂直堆叠八颗16Gb DRAM芯片，容量高达16GB，是上一代产品HBM2的两倍以上。值得一提的是，SK海力士也是首个研发出HBM存储的厂商，其技术实力备受业界认可。

作为新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案，HBM2E不仅适用于学习，还适用于高性能计算机等领域。海力士表示，他们将与更多合作伙伴共同推动HBM2E的应用，为人工智能领域的发展贡献力量。

对于计算机爱好者来说，HBMHigh Bandidth Memory是一种借助TSV技术提升数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品。而TSV硅打孔技术则是一种通过在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。这一技术的应用使得芯片功耗得以降低，芯片体积得以缩减。SK海力士的HBM2E芯片正是基于这一技术打造而成，其出色的性能表现令人瞩目。

SK海力士成功研发并量产新一代“HBM2E”DRAM芯片的消息令人振奋。随着人工智能领域的不断发展，高性能存储器芯片的需求也在不断增加。SK海力士的HBM2E芯片将为人工智能领域的发展提供强有力的支持，同时也将推动存储器技术的不断进步。