三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂 最终放弃

三星电子曾考虑在美国建设一座尖端DRAM内存晶圆厂，但最终决定转向先进封装设施的建设。据IT之家报道，此事发生在本周初达成的初步协议之后。根据该协议，三星电子将在美国得克萨斯州泰勒市建造两座尖端逻辑代工厂、一座先进封装工厂以及一座制程研发设施，并因此获得最多达64亿美元的补贴（约合人民币464亿元）。

原本，三星电子对于在泰勒市建设一座采用10nm先进制程的DRAM内存晶圆厂持有浓厚兴趣，并且相关商讨一直持续至协议签署前的关键时刻。美国方面为可能的建厂计划提供了极为优厚的条件，三星对此也表现出积极的态度。

建厂计划受到多方面的因素影响而未能如愿。一方面，美国在技术和成本上对于建设先进内存厂存在挑战；另一方面，韩国对此表达了反对意见。美国和泰勒市对先进封装业务的排污审批持开放态度，这也影响了三星的最终决定。

业内人士透露，相较于美国的积极态度，韩国在半导体行业的支持力度上显得较为薄弱。这也促使三星更加倾向于在美国建设先进内存厂。如果韩国不能加大支持力度，未来这类计划可能会更多地得以实现。此次三星在美国的投资不仅展现了其对于全球半导体产业的布局，也反映出美国在全球半导体产业中日益重要的地位。